中圖儀器NS200國產(chǎn)臺階儀采用接觸式表面形貌測量，對測量表面反光特性、材料種類、材料硬度都沒有特別要求，樣品適應面廣，數(shù)據(jù)復現(xiàn)性高、測量穩(wěn)定、便捷、高效，是微觀表面測量中使用廣泛的微納樣品測量手段。

在半導體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領域，表面臺階高度、膜厚的準確測量具有十分重要的價值，尤其是臺階高度是一個重要的參數(shù)，對各種薄膜臺階參數(shù)的精確、快速測定和控制，是保證材料質量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。NS200國產(chǎn)臺階儀采用亞埃級分辨率的位移傳感器、超低噪聲信號采集、超精細的運動控制、標定算法等核心技術，具有優(yōu)良的使用性能。用于樣品表面從微米到納米尺度的輪廓測量，可以進行臺階高度、膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。

產(chǎn)品功能

1、臺階高度

能夠測量幾個納米到330μm的臺階高度。這使其可以準確測量在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。

2、紋理：粗糙度和波紋度

測量2D紋理，量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件過濾功能將測量值分離為粗糙度和波紋度的部分，并計算諸如均方根（RMS）粗糙度等20余項粗糙度參數(shù)。

3、形狀：翹曲和形狀

可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對晶圓翹曲的測量，例如在半導體或化合物半導體器件生產(chǎn)過程中，多層沉積層結構中層間不匹配是導致這類翹曲產(chǎn)生的原因。還可以量化包括透鏡在內的結構高度和曲率半徑。

4、應力：薄膜應力

能夠測量在生產(chǎn)中包含多個工藝層的半導體或化合物半導體器件所產(chǎn)生的應力。使用應力卡盤樣品支撐在中性位置精確測量樣品翹曲。然后通過應用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計算應力。

5、接觸缺陷復檢：缺陷表面形貌

技術參數(shù)

技術測量：探針式表面輪廓測量技術

樣品觀測：光學導航攝像頭：500萬像素高分辨率 彩色攝像機，F(xiàn)oV，1700*1400μm

平臺移動范圍X/Y：電動X/Y（100mm*100mm）（可手動校平）

最大樣品厚度：50mm

載物臺最大晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

臺階高度重復性：＜1nm（測量1μm臺階高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時）

儀器尺寸: 640*626*534(mm)

儀器總重量：<50kg

典型應用